PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage) The BSS82C is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.18 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -0.72 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 0.5 W  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 5 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1 V to -3 V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 25 pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 10 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 4 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30 ns  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS82C.