NPN Silicon Switching Transistors The BSS81 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -250V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -0.6A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 30Ω (max at V_GS = -10V, I_D = -0.05A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V (at I_D = -1mA)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 4.5pF (typical at V_DS = -25V, V_GS = 0V, f = 1MHz)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 1.8pF (typical under same conditions)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.25pF (typical under same conditions)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical at V_DD = -100V, I_D = -0.05A, R_G = 25Ω)  
- **Rise Time (t_r)**: 35ns (typical under same conditions)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical under same conditions)  
- **Fall Time (t_f)**: 25ns (typical under same conditions)  

The device is packaged in a TO-92 (PG-TO92-3-11) through-hole package.  

(Source: Infineon datasheet for BSS81)