PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage) The BSS80C is a P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by Zetex (now part of Diodes Incorporated).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** P-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -0.25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -0.1A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.8V to -3V  
- **Package:** SOT-23  

### **Applications:**  
- Low-power switching  
- Load switching  
- Signal amplification  

For exact details, refer to the official datasheet from Zetex/Diodes Incorporated.

PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage) The BSS80C is a semiconductor device manufactured by SIEMENS. Below are its key specifications:  

- **Type**: Bipolar transistor  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Polarity**: NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 80V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 100V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-39 (metal can)  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BSS80C transistor.

PNP Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage) The BSS80C is a silicon NPN transistor manufactured by SIEMENS. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 80V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 100V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250 (depending on operating conditions)  
- **Package**: TO-39  

These specifications are based on SIEMENS' documentation for the BSS80C transistor.