NPN Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage) The BSS79C is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.18 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5 Ω (max) at V_GS = -10 V, I_D = -0.1 A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1 V to -3 V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 25 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 8 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 3 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10 ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 30 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50 ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 20 ns (typical)  
- **Package**: SOT-223  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS79C.