NPN SILICON TRANSISTOR The BSS38 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Philips (now NXP Semiconductors). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
2. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.2A  
4. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 0.83W  
5. **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  
6. **On-State Resistance (R_DS(on))**: 5Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -0.1A  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.8V to -3V  
8. **Package**: SOT23 (TO-236AB)  

These specifications are based on Philips' datasheet for the BSS38 MOSFET.