N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS295 is a semiconductor component manufactured by Siemens. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Siemens  
- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1-3V  
- **Package**: TO-236 (SOT-23)  

These are the confirmed specifications for the Siemens BSS295 MOSFET.

N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS295 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.3A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -0.1A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 25pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 8pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 4pF (typical)  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS295.

N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS295 is a semiconductor component manufactured by Siemens. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** Siemens  
- **Type:** N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2V  
- **Package:** TO-92  

This information is based solely on the available specifications for the BSS295 from Siemens.