P-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS284 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -1.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -5A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4V to -1.5V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 60pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 20pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns (typ)  
- **Package**: SOT-223  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS284 MOSFET.

P-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS284 is a P-channel MOSFET manufactured by SIEMENS (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±10V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.5A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.8V to -2V  
- **Package**: SOT-23  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.