SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) The BSS169 is a small-signal N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 70 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250 mW  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 30 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0–2.5 V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 5.5 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 2.5 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 1.5 pF (typ)  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS169.

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) The BSS169 is a small-signal N-channel MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100 mA  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 400 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 360 mW  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5 Ω (max) at V_GS = 10 V, I_D = 50 mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.5–3 V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 10 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 3 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 1.5 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 4 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 15 ns (typ)  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS169.