IC Phoenix logo

Home ›  B  › B28 > BSS159N

BSS159N from INFINEON

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

BSS159N

Manufacturer: INFINEON

Low Voltage MOSFETs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSS159N INFINEON 88560 In Stock

Description and Introduction

Low Voltage MOSFETs The BSS159N is a N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 60 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 0.7 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 2.8 A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1.25 W  
- **RDS(on) (Drain-Source On-Resistance)**:
  - 1.5 Ω (max) at VGS = 10 V  
  - 2.5 Ω (max) at VGS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.0 V to 2.5 V  
- **Total Gate Charge (Qg)**: 2.3 nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 45 pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 10 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 3 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 5 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 15 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS159N.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips