Low Voltage MOSFETs The BSS159N is a N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 60 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 0.7 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 2.8 A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1.25 W  
- **RDS(on) (Drain-Source On-Resistance)**:
  - 1.5 Ω (max) at VGS = 10 V  
  - 2.5 Ω (max) at VGS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.0 V to 2.5 V  
- **Total Gate Charge (Qg)**: 2.3 nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 45 pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 10 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 3 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 5 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 15 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  
These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS159N.