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BSS138N from INFINEON

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BSS138N

Manufacturer: INFINEON

Low Voltage MOSFETs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSS138N INFINEON 4200 In Stock

Description and Introduction

Low Voltage MOSFETs The BSS138N is a N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 50V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 0.22A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 0.88A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 0.5W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 3.5Ω (max) at VGS = 10V, ID = 0.13A  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.3V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 5ns (typical)  
- **Rise Time (tr)**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 20ns (typical)  
- **Fall Time (tf)**: 5ns (typical)  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS138N.

Application Scenarios & Design Considerations

Low Voltage MOSFETs# BSS138N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technical Documentation

*Manufacturer: INFINEON*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BSS138N is a versatile N-channel enhancement mode MOSFET commonly employed in low-voltage, low-power switching applications. Its primary use cases include:

 Load Switching Circuits 
- Power management in portable devices (smartphones, tablets, wearables)
- Battery-operated equipment power gating
- Peripheral device enable/disable control
- USB power distribution switching

 Signal Level Translation 
- Bidirectional level shifting between 1.8V, 3.3V, and 5V systems
- I²C bus voltage translation
- SPI communication interface level matching
- GPIO signal conditioning between different voltage domains

 Protection Circuits 
- Reverse polarity protection
- Overcurrent protection in low-power systems
- Hot-swap applications with current limiting

### Industry Applications
 Consumer Electronics 
- Smartphone power management ICs (PMICs)
- Tablet computer peripheral control
- Wearable device battery management
- Gaming console accessory interfaces

 Industrial Automation 
- PLC input/output modules
- Sensor interface circuits
- Low-power actuator control
- Industrial communication buses (CAN, RS-485 interface protection)

 Automotive Electronics 
- Infotainment system peripheral control
- Body control module interfaces
- Low-power lighting control
- Sensor signal conditioning

 Internet of Things (IoT) 
- Wireless module power control
- Sensor node power management
- Energy harvesting systems
- Battery-powered edge devices

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Threshold Voltage : Typically 1.3V-2.0V, enabling operation from low-voltage microcontrollers
-  Low On-Resistance : RDS(on) of 3.5Ω maximum at VGS=4.5V, minimizing power loss
-  Fast Switching Speed : Typical switching times of 10-20ns, suitable for high-frequency applications
-  Small Package : SOT-23 packaging saves board space
-  Low Gate Charge : Qg typically 1.3nC, reducing drive circuit complexity
-  ESD Protection : Robust ESD capability up to 2kV

 Limitations: 
-  Limited Current Handling : Maximum continuous drain current of 220mA
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of 50V restricts high-voltage applications
-  Power Dissipation : Limited to 350mW in SOT-23 package
-  Thermal Considerations : Small package limits heat dissipation capability
-  Gate Sensitivity : Requires proper ESD handling during assembly

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
*Pitfall*: Insufficient gate drive voltage leading to increased RDS(on) and thermal issues
*Solution*: Ensure VGS meets or exceeds 4.5V for optimal performance, use gate drivers for fast switching

 ESD Sensitivity 
*Pitfall*: Static damage during handling and assembly
*Solution*: Implement ESD protection protocols, use anti-static packaging and workstations

 Thermal Management 
*Pitfall*: Overheating due to inadequate heat sinking in high-current applications
*Solution*: Include thermal vias, adequate copper area, and derate current based on ambient temperature

 Voltage Spikes 
*Pitfall*: Drain-source voltage spikes exceeding maximum ratings
*Solution*: Implement snubber circuits, use TVS diodes for inductive load switching

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
- Ensure GPIO voltage levels meet minimum VGS requirements
- Verify microcontroller drive capability matches gate capacitance
- Consider level shifting when interfacing with 1.8V microcontrollers

 Power Supply Considerations 
- Match switching frequency with power supply characteristics
- Ensure

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