Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts The BSS138LT1G is a N-channel MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 50V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 220mA
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 800mA
- **Power Dissipation (PD)**: 225mW
- **On-Resistance (RDS(on))**: 3.5Ω (max) at VGS = 10V, ID = 200mA
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 0.8V to 2.2V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 25pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 8.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 3pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 3ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 8ns (typical)
- **Package**: SOT-23 (TO-236)

This MOSFET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.