DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The BSS138DW-7-F is a N-channel MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Here are its key specifications:

- **Package**: SOT-363 (SC-70-6)
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 50V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 220mA
- **Power Dissipation (PD)**: 200mW
- **On-Resistance (RDS(on))**: 3.5Ω (max) at VGS = 10V, ID = 200mA
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 0.8V to 2.2V
- **Total Gate Charge (Qg)**: 0.7nC (typ)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official DIODES documentation.

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The BSS138DW-7-F is a dual N-channel MOSFET manufactured by Diodes Incorporated (DID). Key specifications include:

- **Package**: SOT-363 (SC-70-6)
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 50V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 220mA
- **Power Dissipation (PD)**: 200mW
- **On-Resistance (RDS(on))**: 3.5Ω (max) at VGS = 10V, ID = 200mA
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 0.8V to 1.5V
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: Signal switching, load switching, and general-purpose use.

For exact details, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated.