60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET The BSS138BKS is a N-channel Trench MOSFET manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 50V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 0.88A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 0.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.3V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 5pF (typical)  
- **Package**: SOT-363 (6-pin)  

This MOSFET is designed for low-voltage, low-power switching applications.