N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The BSS138-7 is a N-channel MOSFET manufactured by DIODES. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 50V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 0.88A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 0.36W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.3V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 15pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 5ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 20ns (typ)  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on standard operating conditions (25°C unless noted).