SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) The BSS135 is a N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by SIEMENS (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 180V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Drain Current (I_D)**: 0.18A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 0.36W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 35Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 50mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 6pF (typical)  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BSS135 MOSFET.