N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS129 is a small signal N-channel MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are the key specifications from the manufacturer (SI—Siliconix/Infineon):

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 170mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 360mW  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 15pF (typical)  
- **Package**: SOT-23 (3-pin)  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS129. Let me know if you need additional details.

N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS129 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by various semiconductor companies, including Infineon Technologies.  

Key specifications:  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** Typically 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** Around 0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** Approximately 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Varies based on gate voltage (e.g., ~5Ω at V_GS = 10V)  
- **Package:** Commonly SOT-23  

For exact specifications, refer to the datasheet from the specific manufacturer.

N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS129 is a MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.17A
- **Power Dissipation (P_D)**: 0.35W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 10Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 2.5V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 6pF (typical)
- **Package**: SOT-23 (TO-236AB)

These specifications are based on Vishay's datasheet for the BSS129.