N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic Level FET The BSS123 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) manufactured by **PHILIPS** (now NXP Semiconductors). Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 170mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 360mW  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 6Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 50mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1–2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 20pF (typ)  
- **Package**: SOT23  

These specifications are based on PHILIPS/NXP datasheet data.