P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSS110 is manufactured by **Bussmann** (a division of Eaton).  

**FSC (Federal Supply Class) Specifications:**  
- **FSC Code:** 5920 (Fuses)  
- **NSN (National Stock Number):** Typically 5920-01-XXX-XXXX (specific NSN varies based on exact part configuration)  
- **Military Standard:** May comply with MIL-PRF-23419 or other relevant military specifications, depending on the variant.  

For exact FSC/NSN details, consult official procurement databases like **WebFLIS** or **DLA** catalogs.

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSS110 is a silicon NPN transistor manufactured by Philips (now NXP Semiconductors). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 12V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–600 (at I_C = 2mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  

These specifications are based on Philips' datasheet for the BSS110 transistor.