N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS101 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor) and Siemens. Below are its key specifications:

### **Electrical Characteristics:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -50V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -0.17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -0.68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.83W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 5Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -0.1A  
  - 7Ω (max) at V_GS = -5V, I_D = -0.05A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

### **Switching Characteristics:**
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Package:**
- **TO-236 (SOT-23)**  

### **Additional Features:**
- **Low Gate Drive Requirement**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  

This information is sourced from Fairchild/Siemens datasheets for the BSS101 MOSFET.

N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS101 is a Schottky barrier diode manufactured by Siemens. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Siemens  
- **Type**: Schottky barrier diode  
- **Package**: SOD-323 (MiniMELF)  
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 40V  
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 100mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1A  
- **Forward Voltage (VF)**: Typically 0.5V at 10mA  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 1µA (max) at 40V  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C  

These are the factual specifications for the BSS101 diode as provided by Siemens.

N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSS101 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -50V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -0.7A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 0.83W  
- **R_DS(on) (at V_GS = -10V, I_D = -0.18A)**: 3.5Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-236 (SOT-23)  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSS101.