N-channel FET The BSR58 is a semiconductor component, specifically a silicon rectifier diode, manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Here are its key specifications:

- **Type**: Silicon rectifier diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 5 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A  
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 1000 V  
- **Forward Voltage Drop (VF)**: Typically 1.1 V at 5 A  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA at rated voltage  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +175°C  
- **Package**: DO-201AD (axial leaded)  

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BSR58 diode.

N-channel FET The BSR58 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: PNP BJT  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -500mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the BSR58 transistor.

N-channel FET The BSR58 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips Semiconductors). Below are its key specifications:

### **Electrical Characteristics:**
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 40 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500 mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250 (at I_C = 10 mA, V_CE = 1 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150 MHz  

### **Package:**
- **Package Type:** SOT23 (Surface-Mount)  

### **Applications:**
- General-purpose amplification  
- Switching applications  

This information is based on NXP/Philips datasheets. For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet.