80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 The BSR43 is a semiconductor diode manufactured by PHILIPS. Below are the specifications based on the available knowledge:

1. **Type**: Silicon epitaxial planar diode
2. **Application**: General-purpose switching
3. **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
4. **Average Rectified Forward Current (IO)**: 200mA
5. **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1A
6. **Forward Voltage Drop (VF)**: 1V (typical at 10mA)
7. **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
8. **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C
9. **Package**: SOD-27 (DO-35 glass package)

This information is based on standard PHILIPS datasheet references for the BSR43 diode. For precise details, always refer to the official datasheet.

80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 The BSR43 is a PNP silicon transistor manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:  

- **Type:** PNP silicon transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40–160 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Package:** SOT-23 (Surface-mount)  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets.

80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 The BSR43 is a silicon rectifier diode manufactured by PHILIPS. Here are its specifications:

- **Type**: Silicon rectifier diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 4.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.0 V (typical at 4.0 A)
- **Reverse Current (IR)**: 5.0 µA (maximum at rated voltage)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (axial leaded)

These are the factual specifications for the PHILIPS BSR43 rectifier diode.

80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 The BSR43 is a silicon NPN transistor manufactured by PHI (formerly Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN silicon transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 500mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250 (depending on operating conditions)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on PHI's datasheet for the BSR43 transistor.