SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR The BSR30 is manufactured by PHI (Physical Electronics). Here are the specifications for the BSR30:  

- **Type**: Ion gun  
- **Purpose**: Used for sputtering and depth profiling in surface analysis applications.  
- **Energy Range**: Typically operates between 0.5 keV and 5 keV.  
- **Beam Current**: Adjustable, commonly in the range of 10 nA to 10 µA.  
- **Beam Diameter**: Can be focused to a spot size of approximately 50 µm to several millimeters.  
- **Ion Species**: Supports noble gas ions such as Ar⁺, Xe⁺, and others depending on the application.  
- **Compatibility**: Designed for use with PHI's surface analysis instruments, including XPS and SIMS systems.  

These specifications are based on standard PHI documentation for the BSR30 ion gun.

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR The BSR30 is a semiconductor diode manufactured by PHILIPS. Below are its specifications:

1. **Type**: Switching Diode  
2. **Maximum Repetitive Reverse Voltage (V_RRM)**: 30V  
3. **Average Rectified Forward Current (I_F(AV))**: 200mA  
4. **Peak Forward Surge Current (I_FSM)**: 1A  
5. **Forward Voltage (V_F)**: 1V (at 10mA)  
6. **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4ns  
7. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
8. **Package**: SOD-323 (Miniature Surface Mount)  

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BSR30 diode.

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR The BSR30 is a semiconductor diode manufactured by PHILIPS. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: PHILIPS  
- **Type**: Semiconductor diode  
- **Part Number**: BSR30  

No additional specifications or details are available in the provided knowledge base.