NPN high-voltage transistors The BSR19 is a part manufactured by Philips. However, specific details about its specifications are not provided in Ic-phoenix technical data files. For accurate technical information, you may need to consult Philips' official documentation or datasheets.

NPN high-voltage transistors The BSR19 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips Semiconductors). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor  
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: 500mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 330mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100–400 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets. For precise applications, always refer to the official datasheet.