Smart Power High-Side-Switch The BSP772T is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: P-channel MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.4 A (at T_C = 25°C)  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -21.6 A  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 2.5 W (at T_C = 25°C)  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 150 mΩ (at V_GS = -10 V, I_D = -4.2 A)  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2 V (typical)  
9. **Package**: TO-252 (DPAK)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's official datasheet for the BSP772T.