IC Phoenix logo

Home ›  B  › B28 > BSP77

BSP77 from INFINEON

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

BSP77

Manufacturer: INFINEON

Smart Low Side Switches

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP77 INFINEON 5800 In Stock

Description and Introduction

Smart Low Side Switches The BSP77 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS)**: -60 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: -1.7 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: -6.8 A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 20 W  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 1.2 Ω (max) at VGS = -10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: -1 V to -3 V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

The BSP77 is designed for applications requiring low gate charge and fast switching, such as power management and DC-DC converters.  

(Source: Infineon datasheet for BSP77)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP77 INFINESA 577 In Stock

Description and Introduction

Smart Low Side Switches The BSP77 is a silicon NPN RF transistor manufactured by INFINESA. Below are its key specifications:

- **Type:** Silicon NPN RF Transistor  
- **Package:** SOT-223  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 12V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1.25W  
- **Transition Frequency (fT):** 5GHz  
- **Noise Figure (NF):** 1.2dB (typical at 900MHz)  
- **Gain (hFE):** 40–120  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on standard operating conditions unless otherwise noted.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP77 NXP 214 In Stock

Description and Introduction

Smart Low Side Switches The BSP77 is a PNP switching transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Type**: PNP bipolar transistor  
2. **Package**: SOT89 (SC-62)  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -80 V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -80 V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5 V  
6. **Collector Current (IC)**: -1 A  
7. **Total Power Dissipation (Ptot)**: 1 W  
8. **DC Current Gain (hFE)**: 40–250 (at IC = -0.5 A, VCE = -1 V)  
9. **Transition Frequency (fT)**: 50 MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are for reference only. For exact details, consult the official NXP datasheet.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips