HITFET Smart Low Side Power Switch The BSP75E6327 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -7.5A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.27Ω (max at V_GS = -10V, I_D = -5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for applications such as power management, switching, and automotive systems.  

(Source: Infineon Technologies datasheet for BSP75E6327.)