HITFET Smart Low Side Power Switch The BSP75A E6327 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: P-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.5 A (at T_C = 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -18 A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 30 W (at T_C = 25°C)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.3 Ω (max at V_GS = -10 V, I_D = -4.5 A)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.5 V to -3 V
- **Operating Temperature Range (T_j)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-252 (DPAK)

This device is designed for applications requiring high efficiency and low power dissipation, such as power management and switching circuits.