Smart Power High-Side-Switch The BSP752T is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Voltage Ratings**:
   - Drain-Source Voltage (V_DS): -60V  
   - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  

2. **Current Ratings**:
   - Continuous Drain Current (I_D): -7.5A (at T_C = 25°C)  
   - Pulsed Drain Current (I_DM): -30A  

3. **On-Resistance**:
   - Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)): 120mΩ (max) at V_GS = -10V  

4. **Power Dissipation**:
   - Total Power Dissipation (P_tot): 2.5W (at T_C = 25°C)  

5. **Package**:
   - SOT-223 (TO-261)  

6. **Operating Temperature**:
   - Junction Temperature (T_J): -55°C to +150°C  

7. **Other Features**:
   - Logic Level Gate Drive  
   - Fast Switching Speed  
   - Low Gate Charge  

For detailed electrical characteristics and thermal data, refer to the official Infineon datasheet.