Smart Lowside Power Switch (Logic Level Input Input protection ESD Thermal shutdown with restart) The BSP75 is a power transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP Darlington Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -80V  
- **Maximum Collector Current (I_C)**: -4A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot)**: 30W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = 2A  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +150°C  
- **Package**: TO-220 (isolated and non-isolated versions available)  

This transistor is commonly used in power switching and amplification applications.  

(Note: PHILIPS' semiconductor division became NXP Semiconductors, but the original datasheets may still reference PHILIPS.)

Smart Lowside Power Switch (Logic Level Input Input protection ESD Thermal shutdown with restart) The BSP75 is a power switching transistor manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP Silicon Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -60 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -60 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -3 A (continuous)  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 30 W (at T_C = 25°C)  
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
- **Storage Temperature Range (T_stg)**: -65°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25 (min) to 160 (max)  
- **Package**: TO-220 (isolated and non-isolated versions available)  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BSP75 transistor.

Smart Lowside Power Switch (Logic Level Input Input protection ESD Thermal shutdown with restart) The BSP75 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 35 W (at T_C = 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.25 Ω (max at V_GS = -10 V, I_D = -4.3 A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.5 V to -3 V  
- **Operating Temperature Range (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSP75.