HITFET Smart Low Side Power Switch The BSP75 E6327 is a P-channel power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -7.5 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -30 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 40 W (at T_C = 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.3 Ω (max at V_GS = -10 V, I_D = -4.5 A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1 V to -3 V  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-263 (D²PAK)  

The device is designed for applications such as power switching, motor control, and DC-DC converters.