PNP Silicon Darlington Transistor The BSP62 is a PNP switching transistor manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -500 mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 625 mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -100 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 200 MHz  
- **Package**: SOT-23 (TO-236AB)  

These are the factual specifications for the BSP62 transistor as provided by SIEMENS.

PNP Silicon Darlington Transistor The BSP62 is a PNP switching transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT89 (SC-62)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A (continuous)  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 1.25W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100–250 (at IC = 0.5A, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BSP62.