P-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSP613P is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_D,pulse):** -14 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 160 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Package:** SOT-223  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSP613P.