PNP Silicon Darlington Transistor The BSP61 is a PNP switching transistor manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Transistor Type**: PNP  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -80 V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -60 V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **Junction Temperature (T_j)**: 150 °C  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 - 250 (at I_C = -100 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Package**: SOT-23 (TO-236AB)  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BSP61 transistor.

PNP Silicon Darlington Transistor The BSP61 is a PNP switching transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT223 (Surface-Mount)  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -80V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -80V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
6. **Collector Current (I_C)**: -1A  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 2W  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -150mA, V_CE = -5V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BSP61 transistor.