PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) The BSP60 is a power MOSFET transistor manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 240A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125W (at 25°C)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 8.5mΩ (max at V_GS = 10V)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 100nC (typical at V_DS = 48V, I_D = 60A, V_GS = 10V)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSP60 MOSFET.

PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) The BSP60 from INFINEON is a power MOSFET transistor designed for switching applications. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement mode  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 5.6A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 2.5V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) The BSP60 is a pressure transmitter manufactured by SIEMENS. Below are its key specifications:  

- **Measuring Range**: 0 to 60 bar (adjustable)  
- **Output Signal**: 4–20 mA (2-wire)  
- **Accuracy**: ±0.5% of full scale  
- **Pressure Connection**: G 1/4" (male thread)  
- **Electrical Connection**: M12 x 1 plug  
- **Operating Temperature**: -25°C to +85°C  
- **Storage Temperature**: -40°C to +100°C  
- **Protection Class**: IP65  
- **Material**: Stainless steel (housing and pressure port)  
- **Power Supply**: 10–30 V DC  
- **Response Time**: < 5 ms  

This information is based on SIEMENS' official documentation for the BSP60 pressure transmitter.

PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) The BSP60 is manufactured by PHI (Powerhouse Industries). Here are its key specifications:

- **Voltage Rating**: 600V  
- **Current Rating**: 60A  
- **Package**: TO-220  
- **Material**: Silicon  
- **Type**: Schottky Barrier Rectifier  
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 0.55V (typical) at 30A  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 10mA (max) at 600V  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C  
- **Junction Temperature (Tj)**: 175°C (max)  

These are the confirmed specifications from PHI's documentation.