MEDIUM POWER NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT The BSP52T1 is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP transistor  
- **Package**: SOT-23 (SC-59)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -500mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  

These specifications are based on ON Semiconductor's datasheet for the BSP52T1.