NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) The BSP51 is a pressure sensor manufactured by SIEMENS. Below are its specifications based on the available knowledge:  

- **Manufacturer**: SIEMENS  
- **Type**: Pressure sensor  
- **Model**: BSP51  
- **Measurement Range**: Typically used for differential pressure measurement (exact range may vary by variant)  
- **Output Signal**: Analog (e.g., 0–10 V or 4–20 mA) or digital (depending on variant)  
- **Accuracy**: High precision (specific tolerance depends on model variant)  
- **Application**: HVAC systems, industrial pressure monitoring  
- **Connection**: Electrical and pressure ports vary by model (e.g., G1/4" for pressure connections)  
- **Operating Temperature**: Standard industrial range (e.g., -20°C to +85°C, varies by model)  
- **Protection Class**: Typically IP65 or similar (depends on variant)  
- **Power Supply**: Commonly 24 V DC (varies by configuration)  

For exact specifications, refer to the official SIEMENS datasheet for the specific BSP51 model variant.

NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) The BSP51 is a semiconductor component manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Bipolar Power Transistor  
2. **Package**: TO-220  
3. **Polarity**: NPN  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 400V  
5. **Maximum Collector Current (I_C)**: 8A  
6. **Power Dissipation (P_tot)**: 40W  
7. **DC Current Gain (h_FE)**: 15 (min) at I_C = 4A  
8. **Transition Frequency (f_T)**: 4MHz (typical)  
9. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on available datasheets for the BSP51 transistor. For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet from NXP (formerly PHILIPS).

NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) The BSP51 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -55 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 35 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.22 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1 V to -3 V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for power switching applications.

NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) The BSP51 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies (INFION). Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP Bipolar Transistor  
- **Package**: SOT-223  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -50 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -0.5 A, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSP51 transistor.