Low Voltage MOSFETs The BSP373 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_DS):** -30V  
- **Current Rating (I_D):** -7.3A (continuous)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 70mΩ (max at V_GS = -10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** SOT-223  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon’s datasheet for the BSP373. For precise details, refer to the official documentation.

Low Voltage MOSFETs The BSP373 is a power MOSFET manufactured by SIEMENS (now Infineon Technologies). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 35 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 140 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.028 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2–4 V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 600 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 150 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15 ns  
- **Rise Time (t_r)**: 50 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60 ns  
- **Fall Time (t_f)**: 25 ns  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BSP373 MOSFET.