SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated The BSP372 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-channel MOSFET  
2. **Package**: TO-252 (DPAK)  
3. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V  
4. **Continuous Drain Current (I_D)**: 35 A (at 25°C)  
5. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 140 A  
6. **Power Dissipation (P_D)**: 125 W (at 25°C)  
7. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
8. **On-Resistance (R_DS(on))**:  
   - 18 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
   - 22 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
9. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2.0–4.0 V  
10. **Total Gate Charge (Q_g)**: 45 nC (typical)  
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  
12. **Applications**: Used in power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.