SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) The BSP316 is a power MOSFET manufactured by **SIEMENS (now Infineon Technologies)**. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET.  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V.  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 3.5A.  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 14A.  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 40W (at 25°C case temperature).  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V.  
7. **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 3.5A).  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 3V.  
9. **Package**: TO-263 (D²PAK).  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C.  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BSP316 MOSFET.

SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) Here is the factual information about the **BSP316** manufacturer **SIE** specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** SIE (Semiconductor Ideas to the Market)  
- **Part Number:** BSP316  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 60V  
- **Current (ID):** 1.7A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **RDS(on):** 0.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** SOT-223  

This information is based on the available specifications for the **BSP316** MOSFET from SIE. Let me know if you need further details.