P-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor The BSP315 is a power MOSFET manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-channel enhancement-mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 5.6A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.3Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 1.4A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1-2V  
- **Package**: SOT223 (surface-mount)  

These are the factual specifications for the BSP315 MOSFET as provided by PHILIPS/NXP.