P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors The BSP304A is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: SOT-223  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSP304A.

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors The BSP304A is a power MOSFET manufactured by PHI-Holtek. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 14A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 20W  
- **On-Resistance (R_DS(ON))**: 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves and absolute maximum ratings, refer to the official datasheet from PHI-Holtek.

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors The BSP304A is a P-channel 60 V, 0.3 A logic level MOSFET manufactured by NXP. Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -1.2 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25 W  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 5 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.5 V to -3 V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23 (TO-236AB)  

For further details, refer to the official NXP datasheet.