P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP254 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key IR (Infineon) specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -250V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±25V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -0.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -1.2A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSP254. Let me know if you need further details.

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP254 is a P-channel enhancement mode MOSFET. Here are the key PH (physical) specifications from the manufacturer:  

- **Package**: SOT-223 (TO-261AA)  
- **Mounting Type**: Surface Mount  
- **Number of Pins**: 4 (3 connected, 1 tab)  
- **Dimensions**: 6.5mm x 3.5mm x 1.6mm (typical)  
- **Weight**: Approximately 0.1g  

These are the confirmed physical characteristics of the BSP254 MOSFET.

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP254 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -250 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.25 A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 20 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 15 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2 to -4 V  
- **Package**: TO-220 (TO-220AB)  

These are the factual specifications provided in Ic-phoenix technical data files. No additional guidance or suggestions are included.