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BSP206 from PHILIPS

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BSP206

Manufacturer: PHILIPS

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP206 PHILIPS 82 In Stock

Description and Introduction

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP206 is a power MOSFET transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 1.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 6.8A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 20W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.6Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1-2V  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 100pF  
- **Output Capacitance (Coss)**: 30pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP206 NXP 32000 In Stock

Description and Introduction

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP206 is a P-channel MOSFET manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type:** P-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -60 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -2.5 A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1.5 W  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 0.45 Ω (max) at VGS = -10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1 to -3 V  
- **Package:** SOT-223 (4-pin)  

These specifications are based on NXP's official datasheet for the BSP206. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP206 NXP/PHILIPS 1000 In Stock

Description and Introduction

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP206 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by NXP/PHILIPS. Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (VDS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -0.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -1.2A  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = -10V, ID = -0.3A  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 45pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typical)  
- **Package:** SOT-223  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

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