NPN Silicon Expitaxial Transistor The BSP19AT1G is a P-channel MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: P-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.7A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.25W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 80mΩ at V_GS = -4.5V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V (typical)
- **Package**: SOT-23 (TO-236)

These specifications are based on standard operating conditions (25°C unless otherwise noted). For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from ON Semiconductor.