SOT.223 PACKAGE NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT The part **BSP19AT1** is manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 500mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100-300  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

For exact details, refer to the official datasheet from **ON Semiconductor**.