High Voltage Transistors PNP Silicon The BSP16T1G is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -1.6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -6.4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -1.6A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

These specifications are based on ON Semiconductor's datasheet for the BSP16T1G.