SOT-223 PACKAGE PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT The BSP16T1 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -1.6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.25W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.6Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -1.6A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: SOT-23  

These are the factual specifications provided by ON Semiconductor for the BSP16T1 MOSFET.