SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) The BSP149 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -1.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -5 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.4 W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.5 V (typ)  
- **Package**: SOT-223 (SC-73)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The device is designed for applications such as load switching and power management.

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) The BSP149 is a P-channel MOSFET manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
2. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: -1.3A  
4. **Power Dissipation (P_tot)**: 1.1W  
5. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (max) at V_GS = -10V  
6. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
7. **Package**: SOT223  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's official datasheet for the BSP149. For detailed performance curves or application-specific data, refer to the manufacturer's documentation.