Low Voltage MOSFETs The BSP135 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -1.4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -5.6 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1.25 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V (typical)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Package:** SOT-223  

For detailed electrical characteristics and thermal data, refer to the official Infineon datasheet.

Low Voltage MOSFETs The BSP135 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -40V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -1.5A  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 180mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.4W  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-223  

The MOSFET is designed for applications such as load switching and power management.  

(Source: Infineon datasheet for BSP135)