Low Voltage MOSFETs The BSP123 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by SIEMENS (now Infineon Technologies). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: P-channel MOSFET  
2. **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: -250V  
3. **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
4. **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.17A  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25W  
6. **On-State Resistance (R_DS(on))**: 12Ω (at V_GS = -10V, I_D = -0.1A)  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.5V to -3V  
8. **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  

These are the factual specifications for the BSP123 MOSFET from SIEMENS.

Low Voltage MOSFETs The BSP123 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -250 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.17 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -0.68 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25 W  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 30 Ω (max) at V_GS = -10 V, I_D = -0.1 A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.5 V to -3 V  
- **Package**: SOT-223  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSP123.